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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.31 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 340 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPB11N60S5_05 | INFINEON |
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New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge |
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| SPB11N60S5-E6327 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SPB1205 | SUPERWORLD |
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SMD POWER INDUCTORS |
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| SPB1205100YZF | SUPERWORLD |
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Length (mm): 12.50 | Width (mm): 12.50 | Height (mm): 6.00 | SPQ (reel) : 600 Inductors wi |
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| SPB1205100YZF-11 | SUPERWORLD |
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SMD POWER INDUCTORS |
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| SPB1205100YZF-12 | SUPERWORLD |
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SMD POWER INDUCTORS |
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| SPB1205100YZF-13 | SUPERWORLD |
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SMD POWER INDUCTORS |
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| SPB1205100YZF-14 | SUPERWORLD |
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SMD POWER INDUCTORS |
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| SPB1205100YZF-15 | SUPERWORLD |
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SMD POWER INDUCTORS |
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| SPB1205100YZF-16 | SUPERWORLD |
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SMD POWER INDUCTORS |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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