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SKM284F

更新时间: 2024-11-05 19:56:35
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 183K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 800V, 0.5ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

SKM284F 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
外壳连接:ISOLATED配置:SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:800 V最大漏极电流 (Abs) (ID):80 A
最大漏极电流 (ID):20 A最大漏源导通电阻:0.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):1000 pF
JESD-30 代码:R-PUFM-X7元件数量:2
端子数量:7工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:400 W
最大功率耗散 (Abs):400 W最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SKM284F 数据手册

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