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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SKM300GB063D
SKM300GB063D PDF预览

SKM300GB063D

更新时间： 2024-11-04 22:41:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 748K
描述
Superfast IGBT Modules

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SKM300GB063D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-204
包装说明：CASE D56, SEMITRANS3-7针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：400 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e2元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1350 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：600 ns
标称接通时间 (ton)：240 nsBase Number Matches：1

SKM300GB063D 数据手册

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SKM 300GB063D  
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Superfast IGBT Modules  
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1
1
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SKM 300GB063D  
SKM 300GAR063D  
SKM 300GAL063D  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
ꢂ
min.  
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max. Units  
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1
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Thermal characteristics  
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NL6  
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ꢖꢆꢑ .62  
ꢐꢃꢒ@ꢕꢂꢚ2  
ꢐꢃꢒ@ꢕꢂꢚ.2  
=
ꢖꢆꢑ ꢊꢉ!ꢌꢇꢆ  
+ꢈ+-D  
NL6  
ꢐꢃꢒꢂꢕꢍꢚ  
Mechanical data  
>
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*
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>
ꢐꢉ ꢐꢆꢑꢊꢏꢅꢄꢇꢍ >9  
4ꢈ*  
ꢐ
 
-4*  
ꢋ
GB  
GAL  
GAR  
1
14-09-2005 RAA  
© by SEMIKRON  
1234

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SKM300GB066D SEMIKRON

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SKM300GB066D_09 SEMIKRON

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