Datasheet > SKM300GA12V

SKM300GA12V

更新时间： 2024-11-05 09:24:07

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		/
页数	文件大小	规格书
5页	236K
描述
SEMITRANS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SKM300GA12V 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.17	最大集电极电流 (IC)：	443 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
元件数量：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	2.3 V	Base Number Matches：	1

SKM300GA12V 数据手册

SKM300GA12V

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

420

319

300

900

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3xI_Cnom

V_CC= 720 V

-20 ... 20

SEMITRANS^®4

_GE≤ 20 V

_CES≤ 1200 V

T_j= 125 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

353

264

300

T_j= 175 °C

SKM300GA12V

Features

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 3xI_Fnom

900

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

1548

-40 ... 175

• V-IGBT = 6. Generation Trench V-IGBT

(Fuji)

°C

Module

I_t(RMS)

T_stg

• CAL4 = Soft switching 4. Generation

CAL-diode

T_terminal= 80 °C

500

-40 ... 125

4000

°C

• Isolated copper baseplate using DBC

technology (Direct Copper Bonding)

• UL recognized, file no. E63532

• Increased power cycling capability

• With integrated gate resistor

• Low switching losses at high di/dt

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

Typical Applications*

• AC inverter drives

• UPS

I_C= 300 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.85

2.25

2.30

2.55

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

• Electronic welders

• Switched reluctance motor

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.94

0.88

3.03

4.57

1.04

0.98

4.2

5.23

6.5

m



Remarks

• Case temperature limited to

T_c= 125°C max, recomm.

V_GE= 15 V

_op= -40 ... +150°C, product

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 12 mA

T_j= 25 °C

5.5

rel. results valid for T_j= 150°

0.1

0.3

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

E_on

t_d(off)

t_f

1.77

1.768

3310

2.5

340

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 300 A

_GE= ±15 V

_{G on}= 2.5 

_{G off}= 2.5 

576

di/dt_on= 7700 A/µs

di/dt_off= 3500 A/µs

du/dt_off= 7500 V/

µs

T_j= 150 °C

E_off

R_th(j-c)

per IGBT

0.11

K/W

Rev. 2 – 23.03.2011

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与SKM300GA12V相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKM300GA163D	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM300GA173D	SEMIKRON	获取价格	SEMITRANS IGBT Modules New Range
SKM300GAL063D	SEMIKRON	获取价格	Superfast IGBT Modules
SKM300GAL07E3	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)
SKM300GAL123D	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules
SKM300GAL128D	SEMIKRON	获取价格	SPT IGBT Module
SKM300GAL12E4	SEMIKRON	获取价格	IGBT4 Modules
SKM300GAL12E4_0906	SEMIKRON	获取价格	IGBT4 Modules
SKM300GAL12T4	SEMIKRON	获取价格	Fast IGBT4 Modules
SKM300GAL12T4_0906	SEMIKRON	获取价格	Fast IGBT4 Modules

与SKM300GA12V相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SKM300GA12V

SKM300GA12V 技术参数

SKM300GA12V 数据手册

与SKM300GA12V相关器件

与SKM300GA12V相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SKM300GA12V

SKM300GA12V 技术参数

SKM300GA12V 数据手册

与SKM300GA12V相关器件

与SKM300GA12V相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？