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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SKM300GAL063D
SKM300GAL063D PDF预览

SKM300GAL063D

更新时间： 2024-11-04 22:43:11
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 748K
描述
Superfast IGBT Modules

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SKM300GAL063D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-204
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：6.93Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：400 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X5JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1350 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：600 ns标称接通时间 (ton)：240 ns
Base Number Matches：1

SKM300GAL063D 数据手册

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SKM 300GB063D  
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Superfast IGBT Modules  
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D++  
1
1
ꢐꢖ 7 3 ꢊꢍ  
SKM 300GB063D  
SKM 300GAR063D  
SKM 300GAL063D  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
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ꢖꢆꢑ .62  
ꢐꢃꢒ@ꢕꢂꢚ2  
ꢐꢃꢒ@ꢕꢂꢚ.2  
=
ꢖꢆꢑ ꢊꢉ!ꢌꢇꢆ  
+ꢈ+-D  
NL6  
ꢐꢃꢒꢂꢕꢍꢚ  
Mechanical data  
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4ꢈ*  
ꢐ
 
-4*  
ꢋ
GB  
GAL  
GAR  
1
14-09-2005 RAA  
© by SEMIKRON  
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与SKM300GAL063D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKM300GAL07E3 SEMIKRON

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 		IGBT Modules SEMITRANS 3 (106x62x31)
SKM300GAL123D SEMIKRON

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 		IGBT Modules
SKM300GAL128D SEMIKRON

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SKM300GAL12E4 SEMIKRON

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