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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SKM300GAL128D
SKM300GAL128D PDF预览

SKM300GAL128D

更新时间： 2024-11-04 22:43:11
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 740K
描述
SPT IGBT Module

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SKM300GAL128D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-204包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.81Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：370 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X5
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：5封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：720 ns标称接通时间 (ton)：225 ns
Base Number Matches：1

SKM300GAL128D 数据手册

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SKM 300GB128D  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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Features  
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Typical Applications  
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Thermal characteristics  
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1
14-09-2005 RAA  
© by SEMIKRON  
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