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SKM300GAR12E4

更新时间： 2024-11-05 21:19:51
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅
页数 文件大小 规格书
5页 430K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 422A I(C), 1200V V(BR)CES

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SKM300GAR12E4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：2.27最大集电极电流 (IC)：422 A
集电极-发射极最大电压：1200 V门极-发射极最大电压：20 V
元件数量：1最高工作温度：175 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED子类别：Insulated Gate BIP Transistors
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDVCEsat-Max：2.1 V
Base Number Matches：1

SKM300GAR12E4 数据手册

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SKM300GAR12E4  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
IGBT  
Values  
Unit  
Tj = 25 °C  
VCES  
IC  
1200  
422  
324  
300  
900  
V
A
A
A
A
V
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3xICnom  
VCC = 800 V  
-20 ... 20  
SEMITRANS® 3  
IGBT4 Modules  
SKM300GAR12E4  
Features  
V
V
GE ≤ 15 V  
CES ≤ 1200 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Inverse diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
353  
264  
300  
A
A
A
A
A
Tj = 175 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 3xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
900  
1548  
-40 ... 175  
• IGBT4 = 4. generation medium fast  
trench IGBT (Infineon)  
°C  
Freewheeling diode  
• CAL4 = Soft switching 4. generation  
CAL-diode  
Tc = 25 °C  
Tc = 80 °C  
IF  
353  
264  
300  
A
A
A
A
A
Tj = 175 °C  
• Isolated copper baseplate using DBC  
technology (Direct Bonded Copper)  
• Increased power cycling capability  
• With integrated gate resistor  
• For higher switching frequenzies up to  
12kHz  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 3xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
900  
1548  
-40 ... 175  
°C  
• UL recognized, file no. E63532  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
Typical Applications*  
Tterminal = 80 °C  
500  
-40 ... 125  
4000  
A
°C  
V
• DC/DC – converter  
• Brake chopper  
Visol  
AC sinus 50 Hz, t = 1 min  
• Switched reluctance motor  
Remarks  
Characteristics  
• Case temperature limited  
to Tc = 125°C max.  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
• Recommended Top = -40 ... +150°C  
• Product reliability results valid  
for Tj = 150°C  
IC = 300 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.85  
2.25  
2.10  
2.45  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.8  
0.7  
3.50  
5.17  
5.8  
0.9  
0.8  
4.00  
5.50  
6.5  
V
V
m  
m  
V
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
chiplevel  
VGE = 15 V  
chiplevel  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 12 mA  
Tj = 25 °C  
5
4.0  
VGE = 0 V  
CE = 1200 V  
V
Tj = 150 °C  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
17.6  
1.16  
0.94  
1700  
2.5  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
RGint  
GAR  
© by SEMIKRON  
Rev. 1 – 21.08.2013  
1
12345

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