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SKM300GAL12E4

更新时间： 2024-11-05 06:11:51

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	441K
描述
IGBT4 Modules

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SKM300GAL12E4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-204	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	422 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	637 ns	标称接通时间 (ton)：	264 ns
VCEsat-Max：	2.45 V	Base Number Matches：	1

SKM300GAL12E4 数据手册

SKM300GAL12E4

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1200

422

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_C

T_j= 175 °C

324

I_Cnom

300

I_CRM

I_CRM= 3xI_Cnom

900

V_GES

-20 ... 20

SEMITRANS^®3

V_CC= 800 V

V_GE≤ 15 V

V_CES≤ 1200 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

IGBT4 Modules

SKM300GAL12E4

Features

• IGBT4 = 4. Generation (Trench)IGBT

• VCEsat with positive temperature

coefficient

• High short circuit capability, self

limiting to 6 x I_CNOM

Inverse diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

353

264

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

300

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

900

1548

-40 ... 175

°C

Freewheeling diode

T_c= 25 °C

T_c= 80 °C

I_F

353

264

T_j= 175 °C

• Soft switching 4. Generation CAL

diode (CAL4)

I_Fnom

300

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

900

Typical Applications

• DC/DC – converter

• Brake chopper

1548

-40 ... 175

°C

• Switched reluctance motor

• DC – Motor

Module

I_t(RMS)

T_stg

500

-40 ... 125

4000

°C

Remarks

V_isol

AC sinus 50Hz, t = 1 min

• Case temperature limited to

Tc = 125°C max, recomm.

Top = -40 ... +150°C, product

rel. results valid for Tj = 150°

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 300 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

1.85

2.25

2.1

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

2.45

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.8

0.7

3.5

5.2

5.8

0.1

0.9

0.8

4.0

5.5

6.5

0.3

mΩ

V_GE= 15 V

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 12 mA

T_j= 25 °C

Ω

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

T_j= 150 °C

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

17.6

1.16

0.94

1700

2.5

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

GAL

Rev. 0 – 19.02.2009

12 3 4 5

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