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SKM145GB174DN

更新时间： 2024-11-23 22:43:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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4页 634K
描述
Low Loss IGBT Modules

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SKM145GB174DN 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-204包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.81其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：160 A
集电极-发射极最大电压：1700 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X7
JESD-609代码：e2元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：960 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：980 ns
标称接通时间 (ton)：170 nsVCEsat-Max：3.8 V
Base Number Matches：1

SKM145GB174DN 数据手册

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SKM 145GB174DN  
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Characteristics  
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Features  
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14-09-2005 RAA  
© by SEMIKRON  
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