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SKIM100GD063D

更新时间： 2024-10-26 21:16:15
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 123K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

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SKIM100GD063D 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X39
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X39
元件数量：6端子数量：39
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：313 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：285 ns
标称接通时间 (ton)：70 nsBase Number Matches：1

SKIM100GD063D 数据手册

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SKiM 100 GD 063 D  
SKiM® 3  
IGBT Modules  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions 1)  
VCES  
Values  
Units  
V
V
A
A
600  
600  
100 / 85  
200 / 170  
± 20  
SKiM 100 GD 063 D  
VCGR  
IC  
RGE = 20 kΩ  
THS = 25/70 °C  
ICM  
THS = 25/70 °C; tp = 1 ms  
Preliminary Data  
VGES  
Ptot  
V
per IGBT, THS = 25 °C  
315  
W
°C  
°C  
V
Tj, (Tstg  
Tcop  
Visol  
)
– 40 ... +150 (125)  
125  
max. case operating temperature  
AC, 1 min.  
2500  
humidity IEC-EN 60721-3-3  
climate IEC 68 T.1  
Inverse Diode  
Class F  
IF = –IC  
IFM = –ICM  
IFSM  
T
HS = 25/70 °C  
100 / 75  
200/ 150  
720  
A
A
THS = 25/70 °C; tp = 1 ms  
tp = 10 ms; sin.; Tj = 150 °C  
tp = 10 ms; Tj = 150 °C  
A
I2t  
2 590  
A2s  
Characteristics  
Symbol Conditions 1)  
min.  
typ.  
max. Units  
V(BR)CES VGE = 0, IC = 1 mA  
≥ VCES  
–
5,5  
0,2  
5
–
1,9  
–
6,5  
3
V
V
mA  
mA  
nA  
V
GD  
VGE(th)  
ICES  
VGE = VCE, IC = 3 mA  
GE = 0 Tj = 25 °C  
4,5  
V
Features  
VCE = VCES Tj = 125 °C  
VGE = 25 V, VCE = 0  
IC = 85 A VGE = 15 V;  
Tj = 25 °C  
–
–
–
• N channel, homogeneous Si  
• Low inductance case  
• No baseplate  
IGES  
VCEsat  
200  
4)  
• Allows extreme compact  
converter design  
Cies  
Coes  
Cres  
LCE  
VGE = 0  
–
–
–
–
–
5,6  
0,6  
0,4  
–
–
–
–
25  
–
nF  
nF  
nF  
nH  
mΩ  
VCE = 25 V  
• Fast & soft inverse CAL diodes 8)  
• DCB (Direct Copper Bonded)  
Technology  
f = 1 MHz  
RCC´+ EE´ resistance, terminal-chip; THS = 25 °C  
1,25  
• Solderable gold plated terminals  
• Large clearance (9,8 mm) and  
creepage distances (15 mm)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
VCC = 300 V  
–
–
–
–
–
–
38  
32  
250  
31  
2,1  
3,1  
–
–
–
–
–
–
ns  
ns  
ns  
ns  
mJ  
mJ  
VGE = + 15 V / –15 V3)  
IC = 100 A, ind. load  
RGon = RGoff = 10 Ω  
Tj = 125 °C  
5)  
Eon  
Eoff  
Typical Applications  
5)  
• Switched mode power supplies  
• Three phase inverters for AC  
motor speed control  
Inverse Diode 8)  
VF = VEC IF = 85 A VGE = 0 V;  
VF = VEC IF = 100 A Tj = 25 (125) °C  
VTO  
rT  
IRRM  
Qrr  
–
–
–
–
–
–
1,5(1,45)  
1,55(1,55)  
–
1,9  
0,9  
11  
–
V
V
V
mΩ  
A
µC  
• Switching (not for linear use)  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
–
8
44  
6,0  
IF = 100 A; Tj = 125 °C 2)  
IF = 100 A; Tj = 125 °C 2)  
–
Thermal Characteristics 5)  
1)  
Rthjh  
RthjhD  
R’thjc  
R’thjcD  
per IGBT  
per diode  
per IGBT  
per diode  
–
–
–
–
–
–
–
–
0,4  
0,75  
0,177 °C/W  
0,380 °C/W  
°C/W  
°C/W  
T
= 25 °C, unless otherwise  
HS  
specified  
6)  
2) IF = –IC, VR = 300 V  
6)  
–diF/dt = 1000 A/µs, VGE = 0 V  
3) Use VGEoff = –5... –15 V  
4) Measured at chip level  
5) See mounting instructions  
6) Corresponding value. This value  
cannot be measured. It is only given  
for comparison.  
Mechanical Data  
Symbol Conditions  
Values  
typ.  
Units  
max.  
min.  
8) CAL = Controlled Axial Lifetime  
Technology  
M1  
to heatsink, SI Units  
to heatsink, US Units  
(M5)  
5
43  
–
–
–
–
–
6
52  
Nm  
lb.in.  
a
w
5x9,81 m/s2  
–
215  
g
© by SEMIKRON  
000831  
B 18 – 7  
123456

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