是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X37 | 针数: | 37 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.7 |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 285 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X37 |
元件数量: | 6 | 端子数量: | 37 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 495 ns | 标称接通时间 (ton): | 265 ns |
VCEsat-Max: | 2 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SKIM306GD12E4 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SKiM306GD12E4 V2 | SEMIKRON |
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IGBT Modules SKIM 63 (160x114x35) | |
SKIM306GD12E4_11 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SKIM309GD125SIC | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
SKIM350GD063DM | SEMIKRON |
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IGBT Modules | |
SKIM350GD128DM | SEMIKRON |
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IGBT Modules | |
SKiM350KDKD12I4F | SEMIKRON |
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Thyristor / Diode Modules SKiM 4 (123x107x35) | |
SKIM351GD063DM | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 350A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | |
SKIM380GD176DM | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SKIM400GD063D | SEMIKRON |
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IGBT Modules |