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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X37 | 针数： | 37 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.7 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 285 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X37 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 37 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 495 ns | 标称接通时间 (ton)： | 265 ns |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKIM306GD12E4 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules |
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| SKiM306GD12E4 V2 | SEMIKRON |
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IGBT Modules SKIM 63 (160x114x35) |
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| SKIM306GD12E4_11 | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules |
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| SKIM309GD125SIC | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| SKIM350GD063DM | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules |
|
| SKIM350GD128DM | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules |
|
| SKiM350KDKD12I4F | SEMIKRON |
获取价格 |
Thyristor / Diode Modules SKiM 4 (123x107x35) |
|
| SKIM351GD063DM | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 350A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
|
| SKIM380GD176DM | SEMIKRON |
获取价格 |
Trench IGBT Modules |
|
| SKIM400GD063D | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Modules |
|
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