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SKIM250GD128D

更新时间: 2024-10-26 04:04:31
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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4页 799K
描述
IGBT Modules

SKIM250GD128D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-204包装说明:CASE D, SKIM 4, 37 PIN
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.8
其他特性:FAST外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):240 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X37JESD-609代码:e2
元件数量:6端子数量:37
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):625 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):750 ns标称接通时间 (ton):195 ns
VCEsat-Max:2.3 VBase Number Matches:1

SKIM250GD128D 数据手册

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SKiM 250GD128D  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
SKiM 250GD128D  
min.  
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max. Units  
Preliminary Data  
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Features  
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1
16-01-2007 RAA  
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