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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SKIM250GD128D
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SKIM250GD128D

更新时间： 2024-10-26 04:04:31
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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4页 799K
描述
IGBT Modules

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SKIM250GD128D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-204包装说明：CASE D, SKIM 4, 37 PIN
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
其他特性：FAST外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：240 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X37JESD-609代码：e2
元件数量：6端子数量：37
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：750 ns标称接通时间 (ton)：195 ns
VCEsat-Max：2.3 VBase Number Matches：1

SKIM250GD128D 数据手册

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SKiM 250GD128D  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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16-01-2007 RAA  
© by SEMIKRON  
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