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SKIM300GD063D

更新时间: 2024-11-21 02:51:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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4页 912K
描述
IGBT Modules

SKIM300GD063D 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-204
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X37针数:2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):240 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X37
JESD-609代码:e2元件数量:6
端子数量:37最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):625 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):750 ns
标称接通时间 (ton):205 nsVCEsat-Max:2 V
Base Number Matches:1

SKIM300GD063D 数据手册

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SKiM 300GD063D  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Units  
IGBT  
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)7- 0/5-2  
(
 
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2
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®
Inverse diode  
SKiM 4  
D  
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)77 0/582  
75- 0+#-2  
(
(
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IGBT Modules  
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(
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
SKiM 300GD063D  
min.  
typ.  
max. Units  
Preliminary Data  
ꢆꢚ0ꢊꢋ2  
ꢆꢚ = ꢙꢚE  = 5 ꢑ(  
7 8  
8 8  
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E
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Features  
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- F 0- 52  
) F 0+ F2  
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7-4/)848#  
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/ 8 0/ #2  
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Typical Applications  
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B = /)8 >ꢙ  
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8-  
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ꢎꢈ  
ꢍꢗ 0ꢚꢍꢖꢖ  
2
2
ꢆꢚ A /8   
/# 8 0/7 82  
ꢑJ  
ꢑJ  
:;<  
ꢍꢗ 0ꢚꢍꢖꢖ  
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Inverse diode  
D = ꢚꢙ  
D = )-- (E ꢆꢚ = - ꢘE  
/ )8 0/ )2  
/ 7  
B = )8 0/)82 >ꢙ  
ꢃ*  
 
B = )8 0/)82 >ꢙ  
0- 582  
0/ #2  
))8  
0- F2  
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(
B = )8 0/)82 >ꢙ  
0) .82  
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Lꢒꢒ  
D = +-- (E B = /)8 >ꢙ  
ꢆꢚ = -  ,ꢉ4,ꢊ = +.-- (4Mꢎ  
+-  
Mꢙ  
ꢒꢒ  
9ꢆꢍꢗ = 9ꢆꢍꢖꢖ = 5 G  
8
ꢑJ  
Thermal characteristics  
9ꢊꢋ0Bꢄꢎ2  
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34N  
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9ꢊꢋ0Bꢄꢎ2  
ꢌꢐꢒ DN%  
- )58  
Temperature Sensor  
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 = )8 0/--2 >ꢙ  
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O
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Mechanical data  
@
ꢊꢍ ꢋꢐꢓꢊꢎꢉꢗ: 0@82  
)
7
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8
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/
@
ꢖꢍꢒ ꢊꢐꢒꢑꢉꢗꢓ!ꢎ 0@#2  
)
+/-  
"
GD  
1
19-03-2004 SCT  
© by SEMIKRON  

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