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SKIM429GD17E4HD_11

更新时间： 2024-11-25 09:24:15
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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5页 403K
描述
Trench IGBT Modules

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SKIM429GD17E4HD_11 数据手册

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SKiM429GD17E4HD  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
IGBT  
VCES  
IC  
1700  
595  
479  
420  
1260  
-20 ... 20  
V
A
A
A
A
V
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 3xICnom  
VCC = 1200 V  
SKiM® 93  
V
V
GE ≤ 15 V  
CES ≤ 1700 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
10  
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
Trench IGBT Modules  
SKiM429GD17E4HD  
Features  
• IGBT 4 Trench Gate Technology  
• Solderless sinter technology  
• Low inductance case  
• Isolated by AL2O3 DCB (Direct Copper  
Bonded) ceramic substrate  
• Pressure contact technology for  
thermal contacts and electrical  
contacts  
Inverse diode  
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
IF  
413  
298  
420  
A
A
A
A
A
Tj = 150 °C  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
IFRM = 2xIFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
840  
3699  
-40 ... 150  
°C  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
Tterminal = 80 °C  
700  
-40 ... 125  
3300  
A
°C  
V
Visol  
AC sinus 50 Hz, t = 1 min  
Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
• High short circuit capability, self limiting  
to 6 x IC  
• Integrated temperature sensor  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Typical Applications*  
IC = 420 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.90  
2.1  
2.25  
2.3  
V
V
• Automotive inverter  
V
GE = 15 V  
Tj = 125 °C  
• High reliability AC inverter wind  
• High reliability AC inverter drives  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
VCE0  
rCE  
1.1  
1
1.9  
2.6  
5.8  
0.15  
1.2  
1.1  
2.5  
2.9  
6.4  
0.45  
V
V
m  
m  
V
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
VGE = 15 V  
VGE(th)  
ICES  
VGE=VCE, IC = 16.8 mA  
Tj = 25 °C  
V
5.2  
VGE = 0 V  
CE = 1700 V  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
RGint  
td(on)  
tr  
Eon  
td(off)  
tf  
Eoff  
Rth(j-s)  
33.00  
1.38  
1.08  
6660  
2.7  
390  
80  
245  
1005  
170  
180  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = - 8 V...+ 15 V  
Tj = 25 °C  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
Tj = 125 °C  
ns  
ns  
mJ  
ns  
ns  
VCC = 1200 V  
I
C = 420 A  
R
R
G on = 3.6   
G off = 3.6   
di/dton = 5200 A/µs  
di/dtoff = 2200 A/µs  
mJ  
K/W  
per IGBT  
0.079  
GD  
© by SEMIKRON  
Rev. 6 – 14.07.2011  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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