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SKiM459GD12F4V3

更新时间： 2024-11-13 14:55:51

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		/
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6页	910K
描述
SiC Modules SKIM 93 (160x150x35)

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SKiM459GD12F4V3 数据手册

SKiM459GD12F4V3

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

589

476

687

558

450

1350

-20 ... 20

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

λ_paste=0.8 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_C

λ_paste=2.5 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

SKiM^®93

V_CC= 800 V

Hybrid SiC Trench IGBT

Modules

t_psc

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

µs

°C

_CES≤ 1200 V

T_j

-40 ... 175

Inverse - Diode

T_j= 25 °C

SKiM459GD12F4V3

V_RRM

I_F

1200

220

177

233

188

250

529 ¹⁾

-40 ... 175

°C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

λ_paste=0.8 W/(mK)

T_j= 175 °C

Features*

• IGBT 4 Fast

• SiC Schottky free-wheeling diodes, 3

diodes per switch

I_F

λ_paste=2.5 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_FRM

I_FSM

T_j

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 150 °C

• Solderless sinter technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

Module

I_t(RMS)

T_stg

• Low inductance case

T_terminal= 80 °C,

700

-40 ... 125

2500

°C

• Insulated by Al₂O₃DBC (Direct Bonded

Copper) ceramic substrate

• Pressure contact technology for

thermal contacts

V_isol

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

• Spring contact system to attach driver

PCB to the control terminals

• High short circuit capability

• Integrated temperature sensor

• UL recognized: File no. E63532

Characteristics

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 450 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

2.05

2.59

2.42

2.96

_GE= 15 V

Typical Applications

• UPS (inv., rect.)

• Energy storage

• Active front-end

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

1.10

0.95

2.1

3.6

5.8

1.28

1.13

2.5

4.1

6.4

mΩ

chiplevel

V_GE= 15 V

chiplevel

Remarks

• Case temperature limited to T_s= 125°C

max; T_c= T_s(for baseplateless

modules)

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE= V_CE, I_C= 15.6 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1200 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

5.2

26.4

1.74

1.41

2550

1.7

231

V_CE= 25 V

Footnotes

f = 1 MHz

_GE= 0 V

I_FSMvalue is valid for SiC Schottky diode in

combination with IGBT, please see

Technical Explanations SKiM63/93 for

further details

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 120 A

_{G on}= 1 Ω

_{G off}= 1 Ω

E_on

t_d(off)

t_f

595

di/dt_on= 4800 A/µs

di/dt_off= 1730 A/µs

dv/dt = 2550 V/µs

_GE= +15/-15 V

T_j= 150 °C

E_off

L_s= 24 nH

per IGBT, λ_paste=0.8 W/(mK)

per IGBT, λ_paste=2.5 W/(mK)

R_th(j-s)

0.069

0.053

K/W

Rev. 3.0 – 20.09.2021

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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