Datasheet > SKiM459GD12E4 V2

SKiM459GD12E4 V2

更新时间： 2024-11-26 14:55:47

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	875K
描述
IGBT Modules SKIM 93 (160x150x35)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SKiM459GD12E4 V2 数据手册

SKiM459GD12E4 V2

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

1200

554

450

714

583

450

1350

-20 ... 20

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

λ_paste=0.8 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_C

λ_paste=2.5 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

SKiM^®93

V_CC= 800 V

Trench IGBT Modules

SKiM459GD12E4 V2

Features*

t_psc

_GE≤ 15 V

T_j= 150 °C

µs

°C

_CES≤ 1200 V

T_j

-40 ... 175

Inverse - Diode

T_j= 25 °C

V_RRM

I_F

1200

438

347

530

422

1350

2430

-40 ... 175

°C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

λ_paste=0.8 W/(mK)

T_j= 175 °C

• IGBT 4 Trench Gate Technology

• Solderless sinter technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

I_F

λ_paste=2.5 W/(mK)

T_j= 175 °C

I_FRM

I_FSM

T_j

• Low inductance case

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 150 °C

• Insulated by Al₂O₃DBC (Direct Bonded

Copper) ceramic substrate

• Pressure contact technology for

thermal contacts

Module

I_t(RMS)

T_stg

T_terminal= 80 °C,

700

-40 ... 125

2500

°C

• Spring contact system to attach driver

PCB to the control terminals

• High short circuit capability, self limiting

to 6 x I_C

• Integrated temperature sensor

• Improved power cycle capability of

diodes due to AlCu-bond wires

V_isol

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

Characteristics

Symbol Conditions

Inverter - IGBT

min.

typ.

max.

Unit

Typical Applications

I_C= 450 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.85

2.25

2.10

2.45

_GE= 15 V

• Automotive inverter

T_j= 150 °C

chiplevel

• High reliability AC inverter wind

• High reliability AC inverter drives

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.80

0.70

2.3

3.4

5.8

0.90

0.80

2.7

3.7

6.5

mΩ

chiplevel

V_GE= 15 V

chiplevel

Remarks

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE= V_CE, I_C= 18 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1200 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

• Case temperature limited to T_s= 125°C

max; T_c= T_s(for baseplateless

modules)

0.3

26.4

1.74

1.41

2550

1.7

276

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

• Recommended T_j,op= -40 … +150°C

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 450 A

_{G on}= 1.3 Ω

_{G off}= 1.3 Ω

E_on

t_d(off)

t_f

538

114

di/dt_on= 8340 A/µs

di/dt_off= 3660 A/µs

V_GE= +15/-15 V

T_j= 150 °C

E_off

per IGBT, λ_paste=0.8 W/(mK)

per IGBT, λ_paste=2.5 W/(mK)

R_th(j-s)

0.092

0.059

K/W

Rev. 2.0 – 17.11.2021

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与SKiM459GD12E4 V2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKIM459GD12E4_11	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SKiM459GD12F4V3	SEMIKRON	获取价格	SiC Modules SKIM 93 (160x150x35)
SKiM459GD12F4V4	SEMIKRON	获取价格	SiC Modules SKIM 93 (160x150x35)
SKIM500GD063DM	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules
SKIM500GD128DM	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules
SKIM600GD126DLM	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 524A I(C), 1200V V(BR)CES
SKIM600GD126DM	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 480A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SKIM5, GD, 8 PIN
SKIM600TMLI12E4B	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 512A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE TMLI, SKIM 4
SKIM601GD126DM	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules
SKIM601MLI07E4	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,

与SKiM459GD12E4 V2相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SKiM459GD12E4 V2

SKiM459GD12E4 V2 数据手册

与SKiM459GD12E4 V2相关器件

与SKiM459GD12E4 V2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SKiM459GD12E4 V2

SKiM459GD12E4 V2 数据手册

与SKiM459GD12E4 V2相关器件

与SKiM459GD12E4 V2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？