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SKIM600GD126DLM

更新时间： 2024-11-25 19:38:59

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		局域网电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	899K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 524A I(C), 1200V V(BR)CES

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SKIM600GD126DLM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	524 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X9	元件数量：	6
端子数量：	9	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	IEC-60747-1
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	770 ns
标称接通时间 (ton)：	385 ns	VCEsat-Max：	2.35 V
Base Number Matches：	1

SKIM600GD126DLM 数据手册

SKiM 600GD126DLM ...

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Features

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25-11-2008 MAJ

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与SKIM600GD126DLM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKIM600GD126DM	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 480A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SKIM5, GD, 8 PIN
SKIM600TMLI12E4B	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 512A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE TMLI, SKIM 4
SKIM601GD126DM	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules
SKIM601MLI07E4	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
SKIM601TMLI12E4B	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
SKIM606GD066HD	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SKIM606GD066HD_11	SEMIKRON	获取价格	5Trench IGBT Modules
SKIM609GAL12E4	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules
SKiM609GAL12E4 V2	SEMIKRON	获取价格	IGBT Modules SKIM 93 (160x150x35)
SKIM609GAL12E4_11	SEMIKRON	获取价格	Trench IGBT Modules

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