Datasheet > 晶体管 > IGBT> SKIM609GAL12E4

SKIM609GAL12E4

更新时间： 2024-11-12 06:11:51

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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Trench IGBT Modules

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SKIM609GAL12E4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X33	针数：	33
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	748 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SEPARATE, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X33
元件数量：	3	端子数量：	33
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	2.1 V	Base Number Matches：	1

SKIM609GAL12E4 数据手册

SKiM609GAL12E4

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

1200

748

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

I_C

T_j= 175 °C

608

I_Cnom

600

I_CRM

I_CRM= 3xI_Cnom

1800

-20 ... 20

V_GES

SKiM^®93

V_CC= 800 V

V_GE≤ 15 V

V_CES≤ 1200 V

T_j= 150 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 175

Trench IGBT Modules

Inverse diode

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

I_F

139

110

T_j= 175 °C

SKiM609GAL12E4

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

150

Target Data

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

450

Features

900

• IGBT 4 Trench Gate Technology

• Solderless sinter technology

• V_CE(sat)with positive temperature

coefficient

-40 ... 175

°C

Freewheeling diode

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

I_F

1397

1107

T_j= 175 °C

• Low inductance case

• Isolated by Al₂O₃DCB (Direct Copper

Bonded) ceramic substrate

• Pressure contact technology

forthermal contacts and

electricalcontacts

• High short circuit capability, self

limiting to 6 x I_C

I_Fnom

1350

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

4050

6480

-40 ... 175

°C

Module

I_t(RMS)

T_stg

700

-40 ... 125

2500

°C

• Integrated temperature sensor

Typical Applications

• Automotive inverter

V_isol

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

• High reliability AC inverter wind

• High reliability AC inverter drives

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 600 A

V_CE(sat)

T_j= 25 °C

1.85

2.25

2.10

2.45

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.8

0.7

1.8

2.6

5.8

0.1

0.9

0.8

2.0

2.8

6.5

0.3

mΩ

V_GE= 15 V

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 24 mA

T_j= 25 °C

Ω

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

35.2

2.32

1.88

3400

1.3

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

R_Gint

GAL

Rev. 2 – 26.08.2009

12 3 4 5

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