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SKIW1201/16

更新时间： 2024-11-12 20:55:03

品牌	Logo	应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
4页	84K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1750A I(T)RMS, 1300000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, CASE C10, 6 PIN

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SKIW1201/16 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SPECIAL SHAPE, R-XXSS-X6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.84
配置：	ANTI-PARALLEL, 2 ELEMENTS	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	快速连接描述：	2G-2GR
螺丝端子的描述：	2AK	最大维持电流：	200 mA
JESD-30 代码：	R-XXSS-X6	通态非重复峰值电流：	15000 A
元件数量：	2	端子数量：	6
最大通态电流：	1300000 A	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SPECIAL SHAPE	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	1750 A	断态重复峰值电压：	1600 V
重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

SKIW1201/16 数据手册

Antiparallel Thyristors

with Isolated Water Flow

V_DRM

V_RSMV_RRM

I_RMS¹⁾(Vol_w= 4 l/min., T_w= 40 °C, ED = 50 %, n = 10)

1600 A

1750 A

SKIW 1001

SKIW 1201

1200

1400

1600

SKIW 1001/12

SKIW 1001/14

SKIW 1001/16

SKIW 1201/12

SKIW 1201/14

SKIW 1201/16

Symbol Conditions

SKIW 1001

SKIW 1201

I_RMS

Vol_w= 4 l/min; T_w= 40 °C;

ED = 100 %

1100 A

1250 A

I_TSM

i²t

T_vj

_vj= 125 °C; 10 ms

T_vj40 °C; 8,3 ... 10 ms

_vj= 125 °C; 8,3 ... 10 ms

40 °C; 10 ms

9000 A

8000 A

15 000 A

13 000 A

405 000 A²s

1125 000 A²s

320 000 A²s

845 000 A²s

(di/dt)_crf = 50 . . . 60 Hz

125 A/µs

(dv/dt)_crT_vj= 125 °C

200 V/µs

150 µs

200 mA

600 mA

t_q

I_H

I_L

T_vj= 125 °C; typ.

Features

T_vj

25 °C

25 °C; R_G= 33 Ω

•

Compact units containing two

high current thyristors

connected in antiparallel

Internal insulation between

thyristors and cooling capsules

All plastic material used carries

Underwriter Laboratories

flammability classification

94V -0

V_T

T_vj

25 °C; (I_T= . . .); max.

1,65 V

(1500 A)

1,65 V

(2400 A)

•

V_T(TO)T_vj= 125 °C

r_T

0,925 V

0,45 mΩ

0,92 V

0,3 mΩ

T_vj= 125 °C

V_GT

I_GT

V_GD

I_GD

T_vj

25 °C

3 V

200 mA

0,25 V

10 mA

T_vj= 125 °C

Typical Applications

Large resistance welding

equipment

•

R_thjw

T_vj

Vol_w= 4 l/min; sin. 180

max.

0,12 °C/W

0,118 °C/W

•

Large electroplating equipment

125 °C

T_stg

V_ISOL

p_w

min. . . . max.

a.c. 50 Hz; r.m.s.; 1 min

max.

5 . . . 85

2500 V

10 bar

5,2 kg

C 9

5,8 kg

C 10

Case

For Vol_w= 2 l/min and T_w= 30 °C the same I_RMSvalues apply

0896

B 4 – 11

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKIW1202/12	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element
SKIW1202/14	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 Element
SKIW1202/16	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element
SKIW1700/12	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 Element
SKIW1700/14	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 Element
SKIW1700/16	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element
SKIW250/12	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 250A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 E
SKIW250/14	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 250A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 E
SKIW250/16	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 250A I(T)RMS, 250000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 E
SKIW500/12	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 500A I(T)RMS, 500000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 2 E

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