是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.82 | 最大集电极电流 (IC): | 390 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
元件数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | VCEsat-Max: | 2.45 V |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SKIM455GD12T4D1 | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SKIM 5, 39 PIN | |
SKIM459GD12E4 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SKiM459GD12E4 V2 | SEMIKRON |
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IGBT Modules SKIM 93 (160x150x35) | |
SKIM459GD12E4_11 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SKiM459GD12F4V3 | SEMIKRON |
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SiC Modules SKIM 93 (160x150x35) | |
SKiM459GD12F4V4 | SEMIKRON |
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SiC Modules SKIM 93 (160x150x35) | |
SKIM500GD063DM | SEMIKRON |
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IGBT Modules | |
SKIM500GD128DM | SEMIKRON |
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IGBT Modules | |
SKIM600GD126DLM | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 524A I(C), 1200V V(BR)CES | |
SKIM600GD126DM | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 480A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SKIM5, GD, 8 PIN |