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SKIM309GD125SIC

更新时间： 2024-10-26 21:18:31

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		栅
页数	文件大小	规格书
4页	302K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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SKIM309GD125SIC 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Base Number Matches：	1

SKIM309GD125SIC 数据手册

SKiM309GD125SIC

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

IGBT

V_CES

I_C

1200

307

231

300

600

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 150 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 2xI_Cnom

V_CC= 600 V

-20 ... 20

SKiM^®93

_GE≤ 15 V

_CES≤ 1200 V

T_j= 125 °C

t_psc

µs

°C

T_j

-40 ... 150

Ultra fast IGBT Modules

Inverse diode

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

I_F

196

160

T_j= 175 °C

SKiM309GD125SIC

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

120

890

°C

Target Data

I_FRM= 3xI_Fnom

t_p= 10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

Features

• IGBT Ultra fast Series

-40 ... 175

• SiC Diodes

Module

I_t(RMS)

T_stg

• Solderless sinter technology

• Low inductance case

T_terminal= 80 °C

700

-40 ... 125

2500

°C

• Isolated by Al₂O₃DCB (Direct Copper

Bonded) ceramic substrate

• Pressure contact technology for

thermal contacts and electrical

contacts

V_isol

AC sinus 50 Hz, t = 1 min

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

• Integrated temperature sensor

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 300 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

3.20

4.00

3.81

4.50

_GE= 15 V

T_j= 125 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

V_CE0

r_CE

1.5

1.7

5.7

7.7

5.5

0.5

1.75

1.9

6.9

8.7

6.5

1.5

mΩ

V_GE= 15 V

chiplevel

V_GE= 15 V

chip

V_GE(th)

I_CES

V_GE=V_CE, I_C= 16 mA

T_j= 25 °C

4.5

V_GE= 0 V

_CE= 1200 V

f = 1 MHz

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

E_on

t_d(off)

t_f

E_off

R_th(j-s)

19.80

3.00

1.32

2800

0.8

12.8

456

V_CE= 25 V

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 20 V

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

V_CC= 600 V

_C= 300 A

_{G on}= 3 Ω

_{G off}= 3 Ω

16.8

K/W

per IGBT

0.086

Rev. 0 – 28.10.2014

12 3 4

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