是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.68 | 最大集电极电流 (IC): | 311 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
元件数量: | 1 | 最高工作温度: | 175 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | VCEsat-Max: | 2.05 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SKiM304GD12T4D | SEMIKRON |
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IGBT Modules SKiM 4 (123x107x35) | |
SKIM306GD12E4 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SKiM306GD12E4 V2 | SEMIKRON |
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IGBT Modules SKIM 63 (160x114x35) | |
SKIM306GD12E4_11 | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules | |
SKIM309GD125SIC | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
SKIM350GD063DM | SEMIKRON |
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IGBT Modules | |
SKIM350GD128DM | SEMIKRON |
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IGBT Modules | |
SKiM350KDKD12I4F | SEMIKRON |
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Thyristor / Diode Modules SKiM 4 (123x107x35) | |
SKIM351GD063DM | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 350A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | |
SKIM380GD176DM | SEMIKRON |
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Trench IGBT Modules |