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SKIM270GD128D

更新时间： 2024-11-21 04:04:31
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 1022K
描述
SPT IGBT Modules

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SKIM270GD128D 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
针数：9Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：250 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X9
元件数量：3端子数量：9
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：740 ns
标称接通时间 (ton)：220 nsBase Number Matches：1

SKIM270GD128D 数据手册

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SKiM 270GD128D  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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28-04-2005 RAA  
© by SEMIKRON  
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