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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SKIM270GD176D
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SKIM270GD176D

更新时间： 2024-11-21 04:04:31
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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4页 1257K
描述
IGBT Modules

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SKIM270GD176D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X39
针数：39Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：260 A
集电极-发射极最大电压：1700 V配置：3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X39JESD-609代码：e3/e4
元件数量：6端子数量：39
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN/SILVER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：2.45 V
Base Number Matches：1

SKIM270GD176D 数据手册

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SKiM 270GD176D  
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12-10-2006 RAA  
© by SEMIKRON  
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