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SKIM120GD176D

更新时间: 2024-10-26 04:04:31
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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4页 1123K
描述
IGBT Modules

SKIM120GD176D 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X37
针数:37Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):115 A集电极-发射极最大电压:1700 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码:R-XUFM-X37
JESD-609代码:e3/e4元件数量:6
端子数量:37最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-60747-1子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN/SILVER
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:2.45 V
Base Number Matches:1

SKIM120GD176D 数据手册

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SKiM 120GD176D  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT  
SKiM 120GD176D  
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Preliminary Data  
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24-10-2006 RAA  
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