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SKIM200GD128D

更新时间： 2024-11-18 04:04:31
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
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4页 1235K
描述
SPT IGBT Modules

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SKIM200GD128D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X37针数：37
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：180 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X37JESD-609代码：e2
元件数量：6端子数量：37
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：IEC-60747-1表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：505 ns标称接通时间 (ton)：245 ns
Base Number Matches：1

SKIM200GD128D 数据手册

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SKiM 200GD128D  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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Mechanical data  
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1
24-11-2005 SEN  
© by SEMIKRON  
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