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SIRA88DP-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 21:14:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 401K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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SIRA88DP-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.66雪崩能效等级（Eas）：5 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：45.5 A
最大漏源导通电阻：0.0067 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIRA88DP-T1-GE3 数据手册

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SiRA88DP  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® Gen IV power MOSFET  
PowerPAK® SO-8 Single  
D
D
7
8
D
6
• 100 % Rg and UIS tested  
D
5
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
1
S
APPLICATIONS  
• DC/DC conversion  
• Battery protection  
• Load switching  
2
S
D
3
4
G
S
1
Top View  
Bottom View  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
G
• DC/AC inverters  
30  
R
DS(on) max. (Ω) at VGS = 10 V  
DS(on) max. (Ω) at VGS = 4.5 V  
0.0067  
0.0100  
8.3  
R
S
Qg typ. (nC)  
D (A)  
Configuration  
N-Channel MOSFET  
I
45.5  
Single  
ORDERING INFORMATION  
Package  
PowerPAK SO-8  
Lead (Pb)-free and halogen-free  
SiRA88DP-T1-GE3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
30  
UNIT  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDS  
V
VGS  
+20, -16  
45.5  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
T
36.4  
Continuous drain current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
16.5 b, c  
13.1 b, c  
100  
A
Pulsed drain current (t = 300 μs)  
IDM  
IS  
T
C = 25 °C  
22.7  
3 b, c  
Continuous source-drain diode current  
TA = 25 °C  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
Single pulse avalanche current  
Single pulse avalanche energy  
IAS  
10  
EAS  
5
mJ  
W
25  
T
C = 70 °C  
16  
Maximum power dissipation  
PD  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.3 b, c  
2.1 b ,c  
-55 to +150  
260  
Operating junction and storage temperature range  
Soldering recommendations (peak temperature) d, e  
TJ, Tstg  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
Maximum junction-to-ambient b, f  
SYMBOL  
RthJA  
TYPICAL  
MAXIMUM  
UNIT  
t ≤ 10 s  
Steady state  
30  
4
37  
5
°C/W  
Maximum junction-to-case (drain)  
RthJC  
Notes  
a. Based on TC = 25 °C  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board  
c. t = 10 s  
d. See solder profile (www.vishay.com/doc?73257). The PowerPAK SO-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper  
(not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection  
e. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components  
f. Maximum under steady state conditions is 70 °C/W  
S17-0792-Rev. B, 22-May-17  
Document Number: 77777  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...13

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