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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHG47N60E-GE3
SIHG47N60E-GE3 PDF预览

SIHG47N60E-GE3

更新时间： 2024-01-22 06:38:21
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 185K
描述
E Series Power MOSFET

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SIHG47N60E-GE3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.4
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1800 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：47 A
最大漏极电流 (ID)：47 A最大漏源导通电阻：0.064 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：357 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：145 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHG47N60E-GE3 数据手册

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SiHG47N60E  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)  
180  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
47 A  
=
I
D
160  
140  
Top 15 V  
120  
14 V  
13 V  
100  
80  
60  
40  
20  
0
12 V  
11 V  
10 V  
9.0 V  
8.0 V  
7.0 V  
6.0 V  
Bottom 5.0 V  
5.0 V  
V
=10 V  
TJ = 25 °C  
25 30  
GS  
- 60 - 40 - 20  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
0
5
10  
15  
20  
T , Junction Temperature (°C)  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
J
DS  
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, TC = 25 °C  
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature  
100 000  
120  
VGS = 0 V, f = 1 MHz  
iss = Cgs + Cgd, Cds Shorted  
Top 15 V  
14 V  
C
13 V  
12 V  
11 V  
10 V  
9.0 V  
8.0 V  
Crss = Cgd  
Coss = Cds + Cgd  
100  
80  
60  
40  
20  
0
10 000  
Ciss  
7.0 V  
1000  
100  
6.0 V  
Coss  
Bottom 5.0 V  
Crss  
10  
1
TJ = 150 °C  
20 25  
0
5
10  
15  
30  
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
V
, Drain-to-Source Voltage (V)  
DS  
DS  
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, TC = 150 °C  
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage  
180  
24  
V
V
V
= 480 V  
= 300 V  
= 120 V  
DS  
DS  
DS  
160  
140  
120  
100  
80  
20  
16  
12  
8
T = 150 °C  
J
60  
40  
20  
4
T = 25 °C  
J
0
0
0
5
10  
15  
20  
25  
0
50  
100  
150  
200  
250  
300  
V
, Gate-to-Source Voltage (V)  
Q , Total Gate Charge (nC)  
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage  
GS  
G
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics  
S11-2089 Rev. B, 31-Oct-11  
Document Number: 91474  
3
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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