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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHG47N60E-GE3
SIHG47N60E-GE3 PDF预览

SIHG47N60E-GE3

更新时间： 2024-01-28 17:27:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 185K
描述
E Series Power MOSFET

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SIHG47N60E-GE3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.4
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1800 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：47 A
最大漏极电流 (ID)：47 A最大漏源导通电阻：0.064 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：357 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：145 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHG47N60E-GE3 数据手册

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Package Information  
Vishay Siliconix  
TO-247AC (HIGH VOLTAGE)  
A
A
4
E
7
M
ØP  
M
D B  
(Datum B)  
B
A2  
A
E/2  
S
Ø k  
ØP1  
R/2  
3
D2  
Q
5
2 x R  
(2)  
D1  
D
L
4
D
1
2
3
Thermal pad  
5
L1  
C
5
E1  
A
See view B  
M
M
0.01 D B  
2 x b2  
3 x b  
View A - A  
C
2 x e  
A1  
b4  
M
M
0.10 C A  
(b1, b3, b5)  
Planting  
Base metal  
D D E  
E
(c)  
c1  
C
C
(b, b2, b4)  
(4)  
Section C - C, D - D, E - E  
View B  
MILLIMETERS  
MIN.  
INCHES  
MILLIMETERS  
INCHES  
MAX.  
DIM.  
A
MAX.  
5.31  
2.59  
2.49  
1.40  
1.35  
2.39  
2.37  
3.43  
3.38  
0.86  
0.76  
20.70  
-
MIN.  
0.183  
0.087  
0.059  
0.039  
0.039  
0.065  
0.065  
0.102  
0.102  
0.015  
0.015  
0.776  
0.515  
MAX.  
0.209  
0.102  
0.098  
0.055  
0.053  
0.094  
0.093  
0.135  
0.133  
0.034  
0.030  
0.815  
-
DIM.  
D2  
E
MIN.  
MAX.  
1.30  
15.87  
-
MIN.  
0.020  
0.602  
0.540  
4.65  
2.21  
1.50  
0.99  
0.99  
1.65  
1.65  
2.59  
2.59  
0.38  
0.38  
19.71  
13.08  
0.51  
15.29  
13.72  
0.051  
0.625  
-
A1  
A2  
b
E1  
e
5.46 BSC  
0.254  
0.215 BSC  
0.010  
b1  
b2  
b3  
b4  
b5  
c
Ø k  
L
14.20  
3.71  
16.10  
4.29  
0.559  
0.146  
0.634  
0.169  
L1  
N
7.62 BSC  
3.56  
0.300 BSC  
0.140  
-
Ø P  
Ø P1  
Q
3.66  
7.39  
5.69  
5.49  
0.144  
0.291  
0.224  
0.216  
-
c1  
D
5.31  
4.52  
0.209  
0.178  
R
D1  
S
5.51 BSC  
0.217 BSC  
ECN: S-81920-Rev. A, 15-Sep-08  
DWG: 5971  
Notes  
1. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994.  
2. Contour of slot optional.  
3. Dimension D and E do not include mold flash. Mold flash shall not exceed 0.127 mm (0.005") per side. These dimensions are measured at the  
outermost extremes of the plastic body.  
4. Thermal pad contour optional with dimensions D1 and E1.  
5. Lead finish uncontrolled in L1.  
6. Ø P to have a maximum draft angle of 1.5 to the top of the part with a maximum hole diameter of 3.91 mm (0.154").  
7. Outline conforms to JEDEC outline TO-247 with exception of dimension c.  
Document Number: 91360  
Revision: 15-Sep-08  
www.vishay.com  
1
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