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SIHG47N60E-GE3

更新时间： 2024-02-19 15:34:07

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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E Series Power MOSFET

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SIHG47N60E-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	1.4
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	1800 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	47 A
最大漏极电流 (ID)：	47 A	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	357 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	145 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHG47N60E-GE3 数据手册

SiHG47N60E

Vishay Siliconix

www.vishay.com

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TYP.

MAX.

UNIT

Maximum Junction-to-Ambient

R_thJA

R_thJC

°C/W

Maximum Junction-to-Case (Drain)

0.33

SPECIFICATIONS (T_J= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX. UNIT

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

V_DSTemperature Coefficient

Gate-Source Threshold Voltage (N)

Gate-Source Leakage

V_DS

V_DS/T_J

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

600

V/°C

0.66

Reference to 25 °C, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

V_GS

20 V

100

V_DS= 600 V, V_GS= 0 V

Zero Gate Voltage Drain Current

I_DSS

μA

_DS= 480 V, V_GS= 0 V, T_J= 150 °C

0.064

Drain-Source On-State Resistance

Forward Transconductance

R_DS(on)

g_fs

V_GS= 10 V

I_D= 24 A

0.053

6.8



V_DS= 8 V, I_D= 3 A

Dynamic

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Total Gate Charge

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

C_iss

C_oss

C_rss

Q_g

4810

230

V_GS= 0 V,

_DS= 100 V,

f = 1 MHz

147

220

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

_GS= 10 V

I_D= 47 A, V_DS= 480 V

140

V_DD= 480 V, I_D= 47 A,

_GS= 10 V, R_g= 4.4 

Turn-Off Delay Time

Fall Time

t_d(off)

t_f

Gate Input Resistance

R_g

f = 1 MHz, open drain

0.65



Drain-Source Body Diode Characteristics

MOSFET symbol

showing the

integral reverse

p - n junction diode

Continuous Source-Drain Diode Current

I_S

Pulsed Diode Forward Current

I_SM

140

Diode Forward Voltage

V_SD

t_rr

T_J= 25 °C, I_S= 47 A, V_GS= 0 V

1.2

μC

Body Diode Reverse Recovery Time

Body Diode Reverse Recovery Charge

Reverse Recovery Current

696

T_J= 25 °C, I_F= I_S= 47 A,

dI/dt = 100 A/μs, V_R= 25 V

Q_rr

I_RRM

S11-2089 Rev. B, 31-Oct-11

Document Number: 91474

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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