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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHG47N60E-GE3
SIHG47N60E-GE3 PDF预览

SIHG47N60E-GE3

更新时间： 2024-01-07 04:12:34
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威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 185K
描述
E Series Power MOSFET

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SIHG47N60E-GE3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.4
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1800 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：47 A
最大漏极电流 (ID)：47 A最大漏源导通电阻：0.064 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：357 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：145 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHG47N60E-GE3 数据手册

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SiHG47N60E  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
1000  
100  
10  
T = 150 °C  
J
T = 25 °C  
J
1
V
= 0 V  
GS  
0.1  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
1.4  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
V
,Source-to-Drain Voltage (V)  
SD  
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage  
TJ, Case Temperature (°C)  
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature  
725  
1000  
Operation in this area limited  
by R  
*
700  
675  
650  
625  
600  
575  
550  
DS(on)  
IDM Limited  
100  
10  
1
100 µs  
1 ms  
10 ms  
T
T
= 25 °C  
= 150 °C  
C
J
Single Pulse  
BVDSS Limited  
0.1  
10  
100  
1
1000  
VDS - Drain-to-Source Voltage (V)  
-60 -40 -20  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
* VGS > minimum VGS at which RDS(on) is specified  
T , Junction Temperature (°C)  
J
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area  
Fig. 10 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage  
1
Duty Cycle = 0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.1  
0.02  
Single Pulse  
0.01  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
Pulse Time (s)  
Fig. 11 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case  
S11-2089 Rev. B, 31-Oct-11  
Document Number: 91474  
4
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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