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SIHG47N60E-GE3

更新时间： 2024-01-07 20:20:20

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	185K
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E Series Power MOSFET

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SIHG47N60E-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	1.4
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	1800 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	47 A
最大漏极电流 (ID)：	47 A	最大漏源导通电阻：	0.064 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	357 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	145 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHG47N60E-GE3 数据手册

SiHG47N60E

Vishay Siliconix

www.vishay.com

R_D

V_DS

Q_G

10 V

V_GS

D.U.T.

R_G

Q_GS

Q_GD

10 V

V_G

Pulse width ≤ 1 µs

Duty factor ≤ 0.1 %

Charge

Fig. 12 - Switching Time Test Circuit

Fig. 16 - Basic Gate Charge Waveform

V_DS

Current regulator

Same type as D.U.T.

90 %

50 kΩ

12 V

0.2 µF

0.3 µF

10 %

V_GS

V_DS

D.U.T.

t_d(on)t_r

t_d(off)t_f

Fig. 13 - Switching Time Waveforms

V_GS

3 mA

I_G

I_D

V_DS

Current sampling resistors

Vary t_pto obtain

required I_AS

Fig. 17 - Gate Charge Test Circuit

D.U.T

I_AS

R_G

V_DD

10 V

0.01 Ω

t_p

Fig. 14 - Unclamped Inductive Test Circuit

V_DS

t_p

V_DD

V_DS

I_AS

Fig. 15 - Unclamped Inductive Waveforms

S11-2089 Rev. B, 31-Oct-11

Document Number: 91474

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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