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SIHF9Z24S-GE3 PDF预览

SIHF9Z24S-GE3

更新时间： 2024-10-15 19:52:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 193K
描述
TRANSISTOR 11 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHF9Z24S-GE3 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.08
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：240 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIHF9Z24S-GE3 数据手册

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IRF9Z24S, SiHF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24L  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
- 60  
• Advanced Process Technology  
• Surface Mount (IRF9Z24S, SiHF9Z24S)  
RDS(on) ()  
VGS = - 10 V  
0.28  
Qg (Max.) (nC)  
19  
5.4  
11  
•
Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L, SiHF9Z24L)  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
• P-Channel  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Fully Avalanche Rated  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
Configuration  
Single  
S
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with  
the fast switching speed and ruggedized device design that  
Power MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use in a  
wide variety of applications.  
D2PAK (TO-263)  
I2PAK (TO-262)  
G
G
D
S
The D2PAK is a surface mount power package capable of  
accommodating die size up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible  
on-resistance in any existing surface mount package. The  
D2PAK is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate up  
to 2.0 W in a typical surface mount application.  
D
S
G
D
P-Channel MOSFET  
The through-hole version (IR9Z24L, SiH9Z24L) is available  
for low-profile applications.  
ORDERING INFORMATION  
Package  
D2PAK (TO-263)  
D2PAK (TO-263)  
D2PAK (TO-263)  
I2PAK (TO-262)  
-
IRF9Z24LPbF  
SiHF9Z24L-E3  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SiHF9Z24S-GE3  
IRF9Z24SPbF  
SiHF9Z24S-E3  
SiHF9Z24STRL-GE3a  
IRF9Z24STRLPbFa  
SiHF9Z24STL-E3a  
SiHF9Z24STRR-GE3a  
IRF9Z24STRRPbFa  
SiHF9Z24STR-E3a  
Lead (Pb)-free  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 60  
20  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
- 11  
- 7.7  
- 44  
Continuous Drain Currente  
VGS at - 10 V  
ID  
A
TC = 100 °C  
Pulsed Drain Currenta, e  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.40  
240  
- 11  
6.0  
3.7  
W/°C  
mJ  
A
mJ  
W
Single Pulse Avalanche Energyb, e  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
EAR  
TA = 25 °C  
TC = 25 °C  
Maximum Power Dissipation  
PD  
60  
W
V/ns  
Peak Diode Recovery dV/dtc, e  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 4.5  
- 55 to + 175  
300d  
°C  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = - 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 2.3 mH, Rg = 25 , IAS = - 11 A (see fig. 12).  
c. ISD - 11 A, dI/dt 140 A/μs, VDD VDS, TJ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. Uses IRF9Z24, SiHF9Z24 data and test conditions.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91091  
S11-1063-Rev. C, 30-May-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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