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SIHF9Z34S-GE3

更新时间： 2024-10-15 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	193K
描述
TRANSISTOR 18 A, 60 V, 0.14 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHF9Z34S-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.08
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A	最大漏极电流 (ID)：	18 A
最大漏源导通电阻：	0.14 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	88 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHF9Z34S-GE3 数据手册

IRF9Z34S, SiHF9Z34S, IRF9Z34L, SiHF9Z34L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

- 60

• Advanced Process Technology

• Surface Mount (IRF9Z34S, SiHF9Z34S)

R_DS(on)()

V_GS= - 10 V

0.14

Q_g(Max.) (nC)

9.9

•

Low-Profile Through-Hole (IRF9Z34L, SiHF9Z34L)

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• P-Channel

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Avalanche Rated

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

Configuration

I²PAK (TO-262)

Single

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

D²PAK (TO-263)

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of

its low internal connection resistance and can dissipate up

to 2.0 W in a typical surface mount application.

P-Channel MOSFET

The through-hole version (IRF9Z34L, SiHF9Z34L) is

available for low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

D²PAK (TO-263)

SiHF9Z34S-GE3

IRF9Z34SPbF

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

IRF9Z34LPbF

SiHF9Z34L-E3

SiHF9Z34STRL-GE3^a

IRF9Z34STRLPbF^a

SiHF9Z34STL-E3^a

SiHF9Z34STRR-GE3^a

IRF9Z34STRRPbF^a

SiHF9Z34STR-E3^a

Lead (Pb)-free

SiHF9Z34S-E3

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

- 60

T_C= 25 °C

T_C= 100 °C

- 18

- 13

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

Repetiitive Avalanche Energy^a

I_DM

- 72

0.59

370

- 18

8.8

W/°C

E_AS

I_AR

E_AR

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

3.7

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

- 4.5

- 55 to + 175

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 1.3 mH, R_g= 25 , I_AS= - 18 A (see fig. 12).

c. I_SD - 18 A, dI/dt  170 A/μs, V_DD V_DS, T_J 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF9Z34, SiHF9Z34 data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91093

S11-1052-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF9Z34STL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9Z34STL-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9Z34STR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9Z34STR-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9Z34STRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 60 V, 0.14 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF9Z34STRR-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 60 V, 0.14 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
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