SIHFB11N50A

更新时间： 2024-10-15 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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SIHFB11N50A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	275 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.52 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	170 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFB11N50A 数据手册

IRFB11N50A, SiHFB11N50A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.52

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully

Characterized

Capacitance

and

Avalanche Voltage and current

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

TO-220

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

APPLICABLE OFF LINE SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

N-Channel MOSFET

• Half and Full Bridge

• Power Factor Correction Boost

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFB11N50APbF

SiHFB11N50A-E3

IRFB11N50A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFB11N50A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

7.0

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.3

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

275

E_AR

170

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

6.9

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 4.5 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 11 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 11 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91094

S-81243-Rev. B, 21-Jul-08

www.vishay.com

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