Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHF9Z34S-E3

SIHF9Z34S-E3

更新时间： 2024-10-15 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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SIHF9Z34S-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.08
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.7 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHF9Z34S-E3 数据手册

IRF9Z34S, SiHF9Z34S, IRF9Z34L, SiHF9Z34L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Advanced Process Technology

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 60

Available

• Surface Mount (IRF9Z34S/SiHF9Z34S)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.14

_{Low-Profile Through-Hole (IRSiHF9Z34L/SiHF9Z34L)}RoHS*

•

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

9.9

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

• P-Channel

Configuration

Single

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of its

low internal connection resistance and can dissipate up to

2.0 W in a typical surface mount application.

P-Channel MOSFET

The through-hole version (IRSiHF9Z34L/SiHF9Z34L) is

available for low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

IRF9Z34SPbF

SiHF9Z34S-E3

IRF9Z34S

IRF9Z34STRLPbF^a

SiHF9Z34STL-E3^a

IRF9Z34STRL^a

IRF9Z34STRRPbF^a

SiHF9Z34STR-E3^a

IRF9Z34STRR^a

IRF9Z34LPbF

SiHF9Z34L-E3

IRF9Z34L

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF9Z34S

SiHF9Z34STL^a

SiHF9Z34STR^a

SiHF9Z34L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 60

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

- 18

- 13

- 72

0.59

370

- 18

8.8

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

W/°C

E_AS

I_AR

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91093

S-Pending-Rev. A, 03-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF9Z34S-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 60 V, 0.14 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF9Z34STL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9Z34STL-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9Z34STR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9Z34STR-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9Z34STRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 60 V, 0.14 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHF9Z34STRR-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 60 V, 0.14 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHFB11N50A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFB11N50A-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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