Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHF9Z24STR-E3

SIHF9Z24STR-E3

更新时间： 2024-10-15 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	2304K
描述
Power MOSFET

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SIHF9Z24STR-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.08
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	240 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.28 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF9Z24STR-E3 数据手册

IRF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24S, SiHF9Z24L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Advanced Process Technology

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 60

Available

• Surface Mount (IRF9Z24S/SiHF9Z24S)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.28

•

Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L/SiHF9Z24L)

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

5.4

COMPLIANT

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

• P-Channel

Configuration

Single

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

P-Channel MOSFET

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest

power capability and the lowest possible on-resistance in

any existing surface mount package. The D²PAK is suitable

for high current applications because of its low internal

connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a

typical surface mount application.

The through-hole version (IR9Z24L/SiH9Z24L) is available

for low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF9Z24STRRPbF^a

SiHF9Z24STR-E3^a

IRF9Z24STRR^a

I²PAK (TO-262)

IRF9Z24LPbF

SiHF9Z24L-E3

IRF9Z24L

IRF9Z24SPbF

SiHF9Z24S-E3

IRF9Z24S

IRF9Z24STRLPbF^a

SiHF9Z24STL-E3^a

IRF9Z24STRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF9Z24S

SiHF9Z24STL^a

SiHF9Z24STR^a

SiHF9Z24L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 60

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

- 11

- 7.7

- 44

0.40

240

- 11

6.0

Continuous Drain Current^e

V_GSat - 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

E_AR

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91091

S-Pending-Rev. A, 03-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SIHF9Z34	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel
SIHF9Z34	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9Z34-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel
SIHF9Z34-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9Z34L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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SIHF9Z34S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9Z34S-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF9Z34S-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 60 V, 0.14 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND

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