是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIE |
包装说明: | UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.67 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 6 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SINGLE |
最大降落时间(tf): | 84 ns | 门极发射器阈值电压最大值: | 5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | S-XUUC-N2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | UNCASED CHIP | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
最大上升时间(tr): | 20 ns | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 318 ns | 标称接通时间 (ton): | 41 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIGC07T60UN | INFINEON |
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High Speed IGBT Chip in NPT-technology positive temperature coefficient | |
SIGC08T60 | INFINEON |
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IGBT3 Chip | |
SIGC08T60E | INFINEON |
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暂无描述 | |
SIGC08T60S | INFINEON |
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IGBT3 Chip 600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient | |
SIGC08T60SE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
SIGC08T65E | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor | |
SIGC100T60R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip | |
SIGC100T60R3_10 | INFINEON |
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600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient | |
SIGC100T60R3E | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术,为行业树 | |
SIGC100T65R3E | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术,为行业树 |