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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.58 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC10T60 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC10T60E | INFINEON |
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暂无描述 |
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| SIGC10T60S | INFINEON |
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IGBT3 Chip 600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient |
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| SIGC10T60SE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SIGC10T60SX1SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.19 X 3.21 MM, DIE |
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| SIGC10T60X1SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.19 X 3.21 MM, DIE |
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| SIGC10T65E | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC11T60NC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC11T60SNC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC121T120R2C | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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