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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | 2.60 X 2.60 MM, DIE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.83 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 122 ns | 标称接通时间 (ton)： | 11 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC08T60 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC08T60E | INFINEON |
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暂无描述 |
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| SIGC08T60S | INFINEON |
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IGBT3 Chip 600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient |
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| SIGC08T60SE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SIGC08T65E | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| SIGC100T60R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC100T60R3_10 | INFINEON |
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600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient |
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| SIGC100T60R3E | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC100T65R3E | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC101T170R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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