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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIE | 包装说明： | 3.19 X 3.21 MM, DIE-2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.62 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.7 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 299 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 36 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC10T60SE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SIGC10T60SX1SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.19 X 3.21 MM, DIE |
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| SIGC10T60X1SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.19 X 3.21 MM, DIE |
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| SIGC10T65E | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC11T60NC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC11T60SNC | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC121T120R2C | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC121T120R2CL | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC121T120R2CS | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
|
| SIGC121T120R2CSX1SA6 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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