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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.68 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC11T60NC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC11T60SNC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC121T120R2C | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC121T120R2CL | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC121T120R2CS | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC121T120R2CSX1SA6 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE |
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| SIGC121T120R2CX1SA3 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 103A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 11.08 X 11.08 MM, |
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| SIGC121T120R2CX1SA5 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 103A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, 11.08 X 11.08 MM, |
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| SIGC121T60NR2C | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC128T170R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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