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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIE | 包装说明： | 9.73 X 10.23 MM, DIE-10 |
| 针数： | 10 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUUC-N10 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 10 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC100T60R3_10 | INFINEON |
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600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient |
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| SIGC100T60R3E | INFINEON |
获取价格 |
TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC100T65R3E | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC101T170R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC101T170R3E | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| SIGC104T170R2C | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC109T120R3 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
|
| SIGC109T120R3E | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
|
| SIGC109T120R3EX1SA6 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| SIGC109T120R3L | INFINEON |
获取价格 |
IGBT3 Chip |
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