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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.58 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| 最高工作温度： | 150 °C | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIGC109T120R3LEX1SA5 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SIGC10T60 | INFINEON |
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IGBT3 Chip |
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| SIGC10T60E | INFINEON |
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暂无描述 |
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| SIGC10T60S | INFINEON |
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IGBT3 Chip 600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient |
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| SIGC10T60SE | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| SIGC10T60SX1SA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.19 X 3.21 MM, DIE |
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| SIGC10T60X1SA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.19 X 3.21 MM, DIE |
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| SIGC10T65E | INFINEON |
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TRENCHSTOP? IGBT 结合独特 TRENCHSTOP? 和场终止技术，为行业树 |
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| SIGC11T60NC | INFINEON |
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IGBT Chip in NPT-technology |
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| SIGC11T60SNC | INFINEON |
获取价格 |
IGBT Chip in NPT-technology |
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