深圳深爱半导体股份有限公司
产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET
SIF10N65FA
●特点:热阻低
开关速度快
输入阻抗高
符合RoHS规范
●FEATURES:■LOW THERMAL RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE
■RoHS COMPLIANT
●应用:电子镇流器
电子变压器
开关电源
●APPLICATION: ■ELECTRONIC BALLAST ■ELECTRONIC TRANSFORMER ■SWITCH MODE POWER SUPPLY
●最大额定值(TC=25C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25C)TO-220/TO-220FP(L)/262/263
单位
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
额定值
VALUE
UNIT
VDS=650V
漏-源电压
Drain-source Voltage
VDS
VGS
650
V
RDS(ON)=0.75Ω
ID=10.0A
栅-源电压
gate-source Voltage
±30
V
A
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=25℃
ID
10.0
漏极电流
Continuous Drain Current
TC=100℃
ID
6.0
40
A
A
最大脉冲电流
Drain Current -Pulsed
IDM
①
TO-220FP(L):38
TO-220:120
耗散功率
Power Dissipation
Ptot
W
TO-262/263:120
最高结温
Junction Temperature
Tj
150
-55-150
510
C
C
mJ
存储温度
Storage Temperature
TSTG
EAS
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy ②
●电特性(Tc=25C)
●Electronic Characteristics(Tc=25C)
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
测试条件
TEST CONDITION
最小值
MIN
典型值
TYP
最大值
MAX
单位
UNIT
漏-源击穿电压
Drain-source Breakdown Voltage
BVDSS
VGS=0V, ID=250A
650
V
击穿电压温度系数
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
ΔBVDSS/Δ
Tj
ID=250uA, Referenced to
0.65
V/C
25C
栅极开启电压
Gate Threshold Voltage
VGS(TH)
VGS=VDS, ID=250A
2.0
4.0
1
V
A
A
S
VDS =650V,
VGS =0V, Tj=25C
VDS =520V,
VGS =0V, Tj=125C
VDS =15V, ID=5.0A
③
漏-源漏电流
Drain-source Leakage Current
IDSS
10
跨导
Forward Transconductance
gfs
7.0
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
订货编码/ORDERING CODE
包装形式/PACKING
普通塑封料/ Normal Package Material
无卤塑封料/Halogen Free
TO-220 条管装/TUBE PACKING
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING
SIF10N65FA TO-220-TU
SIF10N65FA TO-220-TU-HF
SIF10N65FA
TO-220FP-TU-HF
SIF10N65FA TO-220FP-TU
SIF10N65FA TO-262-TU 或
SIF10N65FA TO-263-TU
SIF10N65FA TO-262-TU-HF 或
SIF10N65FA TO-263-TU-HF
TO-262 或 263 条管装/TUBE PACKING
TO-263 编带装/TAPE & REEL PACKING
SIF10N65FA TO-263-TR
SIF10N65FA TO-263-TR-HF
Si semiconductors 2019.03
1