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SI9910DY-T1

更新时间： 2024-02-14 14:38:28

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威世 - VISHAY		驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管信息通信管理
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Adaptive Power MOSFET Driver1

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SI9910DY-T1 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
高边驱动器：	YES	输入特性：	SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	长度：	4.9 mm
功能数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出特性：	TOTEM-POLE	标称输出峰值电流：	1 A
输出极性：	TRUE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	10.8/16.5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
子类别：	MOSFET Drivers	最大供电电压：	16.5 V
最小供电电压：	10.8 V	表面贴装：	YES
技术：	BICMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

SI9910DY-T1 数据手册

Si9910

Vishay Siliconix

Adaptive Power MOSFET Driver¹

FEATURES

D dv/dt and di/dt Control

D Undervoltage Protection

D Short-Circuit Protection

D t_rrShoot-Through Current Limiting

D Low Quiescent Current

D Compatible with Wide Range of MOSFET Devices

D Bootstrap and Charge Pump Compatible

(High-Side Drive)

D CMOS Compatible Inputs

DESCRIPTION

The Si9910 Power MOSFET driver provides optimized gate

drive signals, protection circuitry and logic level interface. Very

low quiescent current is provided by a CMOS buffer and a

high-current emitter-follower output stage. This efficiency

allows operation in high-voltage bridge applications with

Fault protection circuitry senses an undervoltage or output

short-circuit condition and disables the power MOSFET.

Addition of one external resistor limits maximum di/dt of the

external Power MOSFET. A fast feedback circuit may be used

to limit shoot-through current during t_rr(diode reverse recovery

time) in a bridge configuration.

“bootstrap” or “charge-pump”

techniques.

floating power supply

The non-inverting output configuration minimizes current

drain for an n-channel “on” state. The logic input is internally

diode clamped to allow simple pull-down in high-side drives.

The Si9910 is available in 8-pin plastic DIP and SOIC

packages, and are specified over the industrial, D suffix (−40

to 85_C) temperature range. In SOIC-8 packaging both

standard and lead (Pb)-free options are available.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

*100 kW

DRAIN

Undervoltage/

Overcurrent

Protection

*2 to 5 pF

PULL-UP

*250 W

2-ms

Delay

PULL-DOWN

INPUT

SENSE

*0.1 W

* Typical Values

1. Patent Number 484116.

Document Number: 70009

S-40707—Rev. G, 19-Apr-04

www.vishay.com

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