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SI9912DY

更新时间： 2024-09-09 22:33:55
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威世 - VISHAY 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 95K
描述
Half-Bridge MOSFET Driver for Switching Power Supplies

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SI9912DY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.73
Is Samacsys：NJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE电源：5 V
认证状态：Not Qualified子类别：MOSFET Drivers
标称供电电压：5 V表面贴装：YES
技术：MOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

SI9912DY 数据手册

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Si9912  
Vishay Siliconix  
Half-Bridge MOSFET Driver for Switching Power Supplies  
FEATURES  
APPLICATIONS  
D 4.5- to 5.5-V Operation  
D Multiphase Desktop CPU Supplies  
D Undervoltage Lockout  
D Single-Supply Synchronous Buck Converters  
D Mobile Computing CPU Core Power Converters  
D Standard-Synchronous Converters  
D 250-kHz to 1-MHz Switching Frequency  
D Shutdown Quiescent Current <5 mA  
D One Input PWM Signal Generates Both Drive  
D Bootstrapped High-Side Drive  
D Operates from 4.5- to 30-V Supply  
D TTL/CMOS Compatible Input Levels  
D 1-A Peak Drive Current  
D High Frequency Switching Converters  
D Break-Before-Make Circuit  
DESCRIPTION  
The Si9912 is a dual MOSFET high-speed driver with  
break-before-make. It is designed to operate in high frequency  
dc-dc switchmode power supplies. The high-side driver is  
bootstrapped to handle the high voltage slew rate associated  
with “floating” high-side gate drivers. Each driver is capable of  
switching a 3000-pF load with 60-ns propogation delay and  
25-ns transition time. The Si9912 comes with an internal  
break-before-make feature to prevent shoot-through current in  
the external MOSFETs. A shutdown pin is used to enable the  
driver. When disabled, the quiescent current of the driver is  
less than 5 mA.  
The Si9912 is available in both standard and lead (Pb)-free, 8-pin  
SOIC packages for operation over the industrial operation range  
(−40_C to 85_C).  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM AND TRUTH TABLE  
BOOT  
V
DD  
D1  
V
DC  
Q
1
C
TRUTH TABLE  
BOOT  
OUT  
H
Level Shift  
VS SD IN VOUTL VOUTH  
L
L
L
H
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
H
OUTPUT  
Undervoltage  
V
S
L
L
L
H
H
L
V
DD  
SD  
IN  
L
H
L
H
H
H
H
OUT  
GND  
L
Q
2
L
H
L
H
H
H
+
V
−
BBM  
Document Number: 71311  
S-40134—Rev. B, 16-Feb-04  
www.vishay.com  
1
 
12345678

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