5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI9426DYF011
SI9426DYF011 PDF预览

SI9426DYF011

更新时间： 2024-11-15 20:06:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 184K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI9426DYF011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：10.5 A
最大漏源导通电阻：0.0135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI9426DYF011 数据手册

 浏览型号SI9426DYF011的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI9426DYF011的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI9426DYF011的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI9426DYF011的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI9426DYF011的Datasheet PDF文件第6页 
January 2001  
SI9426DY  
Single N-Channel, 2.5V Specified MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced  
using Fairchild Semiconductor’s high cell density  
DMOS technology process that has been especially  
tailored to minimize on-state resistance and yet  
maintain low gate charge for superior switching  
performance.  
•
10.5 A, 20 V.  
RDS(ON) = 13.5 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 16 mΩ @ VGS = 2.7 V  
•
•
High cell density for extremely low RDS(ON)  
High power and current handling capability in a widely  
used surface mount package  
These devices have been designed to offer exceptional  
power dissipation in a very small footprint package.  
Applications  
•
•
DC/DC converter  
Load switch  
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±8  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
10.5  
30  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
1.2  
1
(Note 1c)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
9426  
SI9426DY  
13’’  
12mm  
2500 units  
SI9426DY Rev A (W)  
2001 Fairchild Semiconductor International  
123456

中文翻译

下载PDF

与SI9426DYF011相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI9426DYL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI9426DYS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI9426DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
SI9428DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9428DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI9428DY-T1 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9428DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI9430DY FAIRCHILD

获取价格

 		Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI9430DY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9430DYD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

与SI9426DYF011相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证