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SI9407AEY

更新时间： 2024-11-14 22:33:59

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威世 - VISHAY		/
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4页	57K
描述
P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

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SI9407AEY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.85
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI9407AEY 数据手册

Si9407AEY

Vishay Siliconix

P-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.120 @ V = –10 V

"3.5

"3.1

–60

0.15 @ V = –4.5 V

S S

SO-8

Top View

D D

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–60

"20

= 25_C

= 70_C

"3.5

"3.0

"30

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–2.5

= 25_C

= 70_C

3.0

Maximum Power Dissipation

2.1

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 70742

S-99445—Rev. C, 29-Nov-99

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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