SI9410BDY

更新时间： 2024-09-23 22:33:59

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	46K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI9410BDY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	6.2 A
最大漏源导通电阻：	0.024 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI9410BDY 数据手册

Si9410BDY

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFETS

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.024 @ V = 10 V

8.1

6.9

0.033 @ V = 4.5 V

SO-8

Top View

Ordering Information: Si9410BDY

N-Channel MOSFET

Si9410BDY-T1 (with Tape and Reel)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

8.1

6.5

6.2

5.0

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.1

2.5

1.6

1.2

1.5

0.9

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72269

S-31409—Rev. A, 07-Jul-03

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SI9410BDY-T1-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 6200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET
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